Transistor STGW30NC120HD

Transistor STGW30NC120HD. Transistor. C (in): 2510pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Date de production: 201509. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: GW30NC120HD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Fonction: capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.