Transistor STH8NA60FI

Transistor STH8NA60FI. Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 4000V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.