Transistor STP3NB60

Transistor STP3NB60. Transistor. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Dissipation de puissance maxi: 80W. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.