Transistor STW20NM60

Transistor STW20NM60. Transistor. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.