Transistor ZTX450

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640

Transistor. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.8A. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Diode BE: non. Diode CE: non