Transistor ZTX649

Transistor ZTX649. Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.