Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX690

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: très faible saturation VBE(sat) 0.95V

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat)0.92V. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 1.58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 0.18A. Idss (maxi): 0.18A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 10 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVP2110A. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVP3306F. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0uA. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 70V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non