Transistors

Transistor. Conditionnement: rouleau. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6GHz. Fonction: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 35mA. Marquage sur le boîtier: R2. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Vebo: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 3000. Spec info: SMD R2. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5GHz. Fonction: Amplificateur RF jusqu'à la gamme GHz pour amplificateur d'antenne.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 100mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Planar RF Transistor'. Boîtier: SOT-37 ( TO-50 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-37 ( TO-50 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.8GHz. Fonction: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 25mA. Ic(puls): 50mA. Marquage sur le boîtier: E2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 25mA. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: X1p. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 12V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 35mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP haute fréquence

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Courant de collecteur: 0.2A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BFU590G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 24V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFV421

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.6GHz. Fonction: VHF-UHF-A. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-72. Boîtier (selon fiche technique): TO-72. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Vebo: 2.5V

Transistor. Boîtier: TO-50. Résistance B: non. Diode BE: transistor NPN haute fréquence. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): TO-50. Diode CE: composant monté en surface (CMS). Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3.2GHz. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.025A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Spec info: 'Planar RF Transistor'

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF/S. Courant de collecteur: 1A. Remarque: b>70. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 860 MHz. Fonction: UHF-L. Courant de collecteur: 1.25A. Dissipation de puissance maxi: 1.07W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 470 MHz. Fonction: UHF-L. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 860 MHz. Fonction: UHF-L. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Marquage sur le boîtier: BS107. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS107A. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1

Transistor. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: BS170. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170G. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170_D27Z. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 24pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MX. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 60pF. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500nA. Idss (min): -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 45V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Courant de collecteur: 30A. Dimensions: 107.5x45x17mm. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 24. Spec info: 7x IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Remarque: 5ns...20ns. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Technologie: D-MOS Log.L. Tension Vds(max): 50V