Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 90V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488

Transistor PNP, TO-92, 0.5A, TO-92, 350V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -350V. C (in): 100pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 15. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6517. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2562

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: A1013-Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92, 2-5F1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1162. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, RM-60, 120V, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: RM-60. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W

Transistor PNP, 10A, 140V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2581

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 200V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 17A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 200V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SA1120. Fréquence de coupure ft [MHz]: 170 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 130. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: A1123. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planer type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/55V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: A1141. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V

Transistor PNP, 0.1A, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 8W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.05A, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: A1145 O. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2705. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: VCE(sat) 2V max. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2706

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 35V/30V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 55V/50V, 150mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.05A, 80V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 150V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor PNP, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Courant de collecteur: 0.07A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--MP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Ic(puls): 0.14A. Remarque: hauteur 9mm. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2910