Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2907A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-363, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: B*1. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 160. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Résistance BE: 4. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: excellente linéarité hFE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: excellente linéarité hFE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: Amplificateur de moyenne puissance. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) STD1862. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Fonction: commutation rapide haute tension, transistor de puissance PNP. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: N9260. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 150 ns. Type de transistor: PNP. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor PNP, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N93003. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN83003. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V

Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation, amplificateur audio. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Remarque: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP102. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP126. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 75pF. C (out): 10pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (out): 300pF. Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP127. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 8A, TO-220, TO220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): 70pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 8A. Gain hFE maxi: 15000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 12V. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP132. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP147. Fréquence de coupure ft [MHz]: 500. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP142. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP142T. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP2955. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Remarque: transistor complémentaire (paire) TIP3055. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Spec info: Faible tension de saturation collecteur-émetteur. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP30. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. C (out): 160pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-247. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP33C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 45pF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP33C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP36CG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP41C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V