Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2GM. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 170pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: transistor amplificateur haute tension (version CMS du transistor MPSA42). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Remarque: 2D. Marquage sur le boîtier: 2D. Equivalences: PMBTA92.215. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MMBTA42. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2D. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2D. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A6E. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA92. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA06. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA56. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Conditionnement: rouleau. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2000. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA42. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 60pF. C (out): 6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -30V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 4.5pF. C (out): 10pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0281. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3P, 250V, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NJW21193G. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 85pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 15A. Remarque: PBSS4041NX. Marquage sur le boîtier: 6g. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 75 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 60mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS 6G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 29pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: *T2, P2T, T2T, W2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS P2T, T2T, W2T, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 75pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Amplificateur à usage général. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2907A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-363, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-363. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: B*1. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: double transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 160. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non