Transistors IGBT

Transistor IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V