Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.37€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.31€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.16€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.10€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.96€ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.37€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.31€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.16€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.10€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.96€ |
Diode 1N5406H. Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: entraxe 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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