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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK2632LS

Transistor 2SK2632LS
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Transistor 2SK2632LS. Transistor. C (in): 550pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 1mV. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI-LS. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 5.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.5V. Protection drain-source: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.

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Transistor. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 730pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 0.1mA. Marquage sur le boîtier: K2129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 730pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 0.1mA. Marquage sur le boîtier: K2129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
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