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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode 3JU41

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Diode 3JU41. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Diode Tff(25°C): 200 ns. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. Tension de seuil Vf (max): 2V. VRRM: 600V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

Documentation technique

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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V
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