Advanced Power AP4506GEH MOSFET de Puissance Double Canal N&P 30V 9A/8A D-PAK SMD

Description technique du produit (AP4506GEH):

Transistor N&P-MOSFET double AP4506GEH. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2 pièces. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Nombre de broches: 4 pièces. Dissipation de puissance (Pd): 3.1 W. ROHS: Oui. Montage: Monté en surface (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Température de fonctionnement: -55...+150 °C.