Advanced Power AP9971GI MOSFET de Puissance Canal N 60V 23A TO-220

Description technique du produit (AP9971GI):

MOSFET de puissance canal N Advanced Power AP9971GI. Tension Drain-Source Vds(max) maximale: 60V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 25uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 23A. Courant de Drain Id (T=100°C): 14A. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Boîtier: TO-220. Conforme RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Technologie: MOSFET de puissance à mode d\'enrichissement. Protection Gate-Source: NON. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 26 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 10uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 9 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 80A. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 1V. Capacité d\'entrée C(in): 1700pF. Capacité de sortie C(out): 160pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 37 ns. Dissipation de puissance maximale: 31.3W. Conditionnement: tube en plastique. Protection Drain-Source: diode. Tension Gate-Source Vgs: 20V. Unité de conditionnement: 50.