Transistor BD243C-STM
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.83€ | 2.21€ |
| 5 - 9 | 1.74€ | 2.11€ |
| 10 - 24 | 1.65€ | 2.00€ |
| 25 - 49 | 1.56€ | 1.89€ |
| 50 - 80 | 1.52€ | 1.84€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.83€ | 2.21€ |
| 5 - 9 | 1.74€ | 2.11€ |
| 10 - 24 | 1.65€ | 2.00€ |
| 25 - 49 | 1.56€ | 1.89€ |
| 50 - 80 | 1.52€ | 1.84€ |
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Transistor BD243C-STM. Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.
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Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
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Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. C (out): 80pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP42C. Diode BE: non. Diode CE: non
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