Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.41€ | 1.71€ |
5 - 9 | 1.34€ | 1.62€ |
10 - 24 | 1.30€ | 1.57€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.70€ | 2.06€ |
250 - 1631 | 1.88€ | 2.27€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.41€ | 1.71€ |
5 - 9 | 1.34€ | 1.62€ |
10 - 24 | 1.30€ | 1.57€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.70€ | 2.06€ |
250 - 1631 | 1.88€ | 2.27€ |
Transistor canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V - BUZ11. Transistor canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.