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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode BYP35A6

Diode BYP35A6
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Diode BYP35A6. Diode. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. IF(AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+215°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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BYP60A6
Diode. Diamètre: 12.75mm. Cj: 430pF. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: oui. Poids: 10g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms
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Diode. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide
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