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Circuit intégré mémoire - W25Q80DVSSIG

Circuit intégré mémoire - W25Q80DVSSIG
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Circuit intégré mémoire - W25Q80DVSSIG. ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 8Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série. Produit d'origine constructeur Winbond. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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