Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100

Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100. Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 07:25.