Diode 80SQ05

Diode 80SQ05. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 8A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.4x7.5mm). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 50V. Nombre de connexions: 2. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Fonction: Diode de redressement à barrière Schottky, sorties axiales. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.