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Diode BAS85-GS08

Diode BAS85-GS08
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Lot de 5

Diode BAS85-GS08. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode Schottky pour petits signaux, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD80. Boîtier (norme JEDEC): Sb. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tension directe Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.2uA..2uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 21:25.

Documentation technique

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Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V
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