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Diode BYV79E-200

Diode BYV79E-200
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Diode BYV79E-200. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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