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Diode MBR10200CT

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Diode MBR10200CT. Diode. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.

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