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Diode, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V - SS34FA

Diode, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V - SS34FA
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10 - 24 0.55€ 0.67€
25 - 49 0.53€ 0.64€
50 - 99 0.52€ 0.63€
100 - 194 0.51€ 0.62€
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Diode, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V - SS34FA. Diode, 3A, 80A, SOD-123, 425AB SMA (3.8x1.9mm), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Cj: 152pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 12 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Remarque: sérigraphie/code CMS 34L. IRM (max): 60mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: 34L. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 21:25.

Produits équivalents :

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TSSW3U45

TSSW3U45

Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. BoÃ...
TSSW3U45
Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V
TSSW3U45
Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 45V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U45. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.47V. Tension de seuil Vf (min): 0.33V
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