Diodes Zéner

Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: Diotec ZYP100. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 2.6x4.8mm. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 100V

Diode Zéner. Type de diode: Diode Zéner. Tension Zéner: 24V. Puissance: 1.3W. Boîtier: DO-41

Diode Zéner. Fonction: Z-IC. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO35. Tension Zéner: 29V

Diode Zéner. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zéner. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AH. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 30..32V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 12 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -20°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner. Fonction: Z-IC. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO35. VRRM: 32V. Tension Zéner: 33V. Remarque: -ITT. Remarque: compensé en température

Diode Zéner. Type de diode: Diode Zéner. Tension Zéner: 9V. Puissance: 0.5W. Boîtier: DO-35. Compensé en température: oui

Diode Zéner. IF(AV): 10.5mA. Tolérance: 5%. VRRM: 36V. Remarque: filetage M4

Diode Zéner. IF(AV): 40mA. Tolérance: 5%. VRRM: 27V. Spec info: filetage M4

Diode Zéner. IF(AV): 22mA. Tolérance: 5%. VRRM: 47V. Remarque: filetage M4

Diode Zéner. IF(AV): 20mA. Tolérance: 5%. VRRM: 51V. Remarque: filetage M4

Diode Zéner. IF(AV): 130mA. Tolérance: 5%. VRRM: 8.2V. Remarque: filetage M4

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 10V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. VRRM: 10V. Tension Zéner: 10V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 100V. Tension Zéner: 100V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 110V. Tension Zéner: 110V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 12V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 120V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 13V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 130V. Tension Zéner: 130V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 15V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Tension Zéner: 15V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: Z150. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 150V. Tension Zéner: 150V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 160V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 18V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Tension Zéner: 18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 180V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Tension Zéner: 180V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 20V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: Z200. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation