Fairchild FQA19N60 MOSFET Canal N 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Description technique du produit (FQA19N60):

Tension Vds(max): 600V. Idss (maxi): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Boîtier: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Technologie: DMOS, QFET. Protection G-S: non. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diode (Min.): 420 ns. Dissipación de puissance maxi: 300W. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.