Fairchild HGTG30N60B3D Transistor N-IGBT 600V 30A TO-247

Description technique du produit (HGTG30N60B3D):

Diode au germanium: non. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N-P. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Fonction: Ic 30A à 25°C, 25A à 110°C, Icm 220A (pulsé). Td(off): 137 ns. Tension collecteur-émetteur Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension grille-émetteur VGE: 20V. Dissipation de puissance maxi: 208W. Tension grille-émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille-émetteur VGE(th) max.: 6V.