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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQD19N10L

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Transistor FQD19N10L. Transistor. C (in): 670pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 62.4A. Id (T=100°C): 9.8A. Id (T=25°C): 15.6A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Equivalences: FQD19N10LTM. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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