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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Diode FR305

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Diode FR305. Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: FAST RECOVERY RECTIFIER. Remarque: IFSM--200Ap/8.3mS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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BY500-600

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Diode. RoHS: non. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D5.4x7.5mm. Boîtier (norme JEDEC): diode de redressement rapide au silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 5A. Ifsm [A]: 220A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 200 ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.3V @ 5A
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Diode. RoHS: non. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D5.4x7.5mm. Boîtier (norme JEDEC): diode de redressement rapide au silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 5A. Ifsm [A]: 220A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 200 ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1.3V @ 5A
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