Fuji Electric 2SK1217 MOSFET Canal N 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Description technique du produit (2SK1217):

Tension Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Résistance à l'état passant Rds(on): 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de broches: 3. Montage/installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible puissance de commande, commutation haute vitesse. Technologie: V-MOS. Protection G-S: non. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Pd (Dissipation de puissance, max): 100W. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.