Fuji Electric 2SK2850 Transistor N-MOSFET, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), Boîtier TO-3P, Commutation Hau

Description technique du produit (2SK2850):

Tension Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. Résistance à l'état passant Rds On: 1.87 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Température de fonctionnement: -...+150°C. Montage/installation: Montage traversant pour PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation haute vitesse. Technologie: TT-MOSV. Protection G-S: non. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diode (Min.): 900ns. Pd (Dissipation de puissance, Max): 125W. Protection drain-source: oui. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V