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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor HGTG20N60A4D

Transistor HGTG20N60A4D
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Transistor HGTG20N60A4D. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 35 ns. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

Documentation technique

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Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non
HGTG30N60A4D
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non
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