Catégories

+33 9 70 70 01 25
Rupture de stock
Image produit
International Rectifier

International Rectifier IRFB23N15D MOSFET de Puissance HEXFET Canal N 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Référence produit : IRFB23N15D
Actuellement en rupture de stock
Prix dégressifs — Économisez en quantité
QuantitéPrix unitaireEconomisez
1+Meilleur prix3.15 €
Télécharger la fiche technique (PDF)

Description technique du produit (IRFB23N15D):

Tension Vds(max): 150V. Idss (maxi): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Boîtier: TO-220. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Protection G-S: non. Td(off): 18 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 10 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 92A. Marquage sur le boîtier: B23N15D. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diode (Min.): 150 ns. Dissipación de puissance maxi: 136W. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode Zener. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5.5V. Unité de conditionnement: 50.