FR
NL DE
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor IRL640A

Transistor IRL640A
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 4 1.16€ 1.40€
5 - 9 1.10€ 1.33€
10 - 24 1.04€ 1.26€
25 - 49 0.98€ 1.19€
50 - 81 0.96€ 1.16€
Quantité U.P
1 - 4 1.16€ 1.40€
5 - 9 1.10€ 1.33€
10 - 24 1.04€ 1.26€
25 - 49 0.98€ 1.19€
50 - 81 0.96€ 1.16€
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 81
Lot de 1

Transistor IRL640A. Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 03:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 36
IRL640

IRL640

Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
IRL640
Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non
IRL640
Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non
Lot de 1
2.23€ TTC
(1.84€ HT)
2.23€

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 269
IRF640N

IRF640N

Transistor. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de tran...
IRF640N
[LONGDESCRIPTION]
IRF640N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.56€ TTC
(1.29€ HT)
1.56€
Quantité en stock : 112
IRFBE30

IRFBE30

Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (...
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.59€ TTC
(2.14€ HT)
2.59€

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.