En stock
IXYS
IXYS IXGR40N60B2D1 P-Channel MOSFET 600V 60A n/a
Référence produit : IXGR40N60B2D1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 18.42 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Tension Vdss maximale | 600V |
| Courant Id maximal | 60A |
| Résistance Rds-on | n/a |
| Paramètre (Package) | n/a |
Description technique du produit (IXGR40N60B2D1):
Le IXGR40N60B2D1 est un MOSFET à canal P haute performance de IXYS dans un boîtier n/a. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: IXGR40N60B2D1 N-IGBT+D 600V 60A 167W Vce(sat)1.9V.