Mémoire RAM K6R1008C1D-TC10

Mémoire RAM K6R1008C1D-TC10. Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: K6R. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 10 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Produit d'origine constructeur Samsung. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 04:25.