Mémoires RAM

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Famille de circuits mémoire: 23LC. Taille de la mémoire [octet]: 1Mbit. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 20 MHz. Type d'interface: SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: U62. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: U62. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: U62H. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: A62. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. Boîtier: DIP32. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Série: n/a. Type de mémoire: SRAM - Asynchronous. Taille mémoire: soudure sur circuit imprimé. Interface: Parallèle. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: montage traversant pour circuit imprimé. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Température de fonctionnement: AS6C. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Particularités: 55 ns. Information: n/a. MSL: n/a

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. Série: AS6C4008. Type de mémoire: SRAM - Asynchronous. Interface: Parallèle. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 55ns. Temps de cycle d'écriture: 55ns. Tension d'alimentation: 2.7-5.5V. Température de fonctionnement: 0...+70°C. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Information: n/a. MSL: n/a

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP28. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: BS62LV. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: BS62LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Famille de circuits mémoire: DS12. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-44. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 44. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: IS61LV. Taille de la mémoire [octet]: 256 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 16-bit. Signal d'horloge max (MHz): 10 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +3V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-F32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: K6T. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Famille de circuits mémoire: M48T. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Boîtier (norme JEDEC): montage traversant pour circuit imprimé

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: circuit intégré d'interface. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de circuits: interface série, récepteur différentiel. Nombre de circuits de commande: 0. Nombre de circuits de réception: 4. Nombre de circuits récepteurs sur la ligne, max: 128. Type de communication: Duplex. Désactivable: oui. Vitesse de communication max.[bit]: 10Mbit. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: R1LP. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: R1LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Famille de circuits mémoire: R1LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C