Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 2.7-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire. Nombre de connexions: 8. Entrées/sorties: Dual I/O, SPI. Type de mémoire: NOR Flash. Mémoire de stockage de programme: 1Mbit. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: Mémoire 'FLASH'. Alimentation électrique: 2.7...3.6V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8. Fréquence de fonctionnement: 80MHz. Température de fonctionnement: -40...85°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: FIFO. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 512x9-bit. Configuration de la mémoire: 512x9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 35 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 32K x 9-bit. Configuration de la mémoire: 32K x 9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 25 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: SRAM - Asynchronous. Interface: Parallèle. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 70ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Type de montage: SMD. Boîtier: SOP28. Information: n/a. MSL: n/a. Taille mémoire: oui. Tension d'alimentation: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 32 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 32s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: I/O-pin. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Boîtier (norme JEDEC): SO16

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 40 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 40s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: I/O-pin. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Boîtier (norme JEDEC): SO

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 60 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 60s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: bus série SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température industrielle. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-2

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 900ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 900ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 50ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 0.5-6.5V. Température de fonctionnement: -40...+130°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: interface série. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Remarque: CMOS OTP. Nombre de connexions: 32. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Remarque: 256 Kbit (32Kb × 8). Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.75...5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Date de production: 2015/03. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Fonction: oui. Nombre de connexions: 24. Mémoire RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V