Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOIC-8

Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h

Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V

Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Remarque: SAMSUNG