MOSFET Canal N Fuji Electric 2SK2640, 500V, 10A, 0.73 Ohm, Boîtier TO-220F15

Description technique du produit (2SK2640):

Tension Drain-Source Vds(max): 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 200uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 10A. Courant de Drain continu Id (T=100°C): 10A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 0.73 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Boîtier: TO-220FP. Conforme RoHS: Oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Technologie: Série FAP-IIS MOS-FET. Protection Gate-Source: Non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 70 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss(min): 10uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 25 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: K2640. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 3.5V. Capacité d\'entrée C(in): 950pF. Capacité de sortie C(out): 180pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 450 ns. Dissipation de puissance maximale: 50W. Protection Drain-Source: Diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V.