MOSFET Canal N Hitachi 2SK1170, 500V, 20A, 0.27 Ohm, Boîtier TO-3P

Description technique du produit (2SK1170):

Tension Drain-Source Vds(max): 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 250uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 20A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Informations spécifiques: High speed switching, low drive current. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET N. Technologie: V-MOS. Protection Gate-Source: Oui. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 200 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 32 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 80A. Capacité d\'entrée C(in): 2800pF. Capacité de sortie C(out): 780pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 500 ns. Dissipation de puissance maximale: 120W. Protection Drain-Source: Diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V.