MOSFET Canal N Hitachi 2SK1296, 60V, 30A, 0.028 Ohm, Boîtier TO-220

Description technique du produit (2SK1296):

Tension Drain-Source Vds(max): 60V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 30A. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 30A. Courant de Drain continu Id (T=100°C): 15A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 0.028 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. Conforme RoHS: Oui. Informations spécifiques: Compatible avec le niveau logique. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET N. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1. Dissipation de puissance maximale: 75W.