MOSFET Canal N Sanken 2SK3199, 500V, 5A, 1.2 Ohm, Boîtier TO220F-3L

Description technique du produit (2SK3199):

Tension Drain-Source Vds(max): 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 100uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 5A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 1.2 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO220F-3L. Boîtier: TO-220FP. Conforme RoHS: Oui. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET N. Technologie: V-MOS (F). Équivalences: FS5KM-10-AW. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 60 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss(min): 0.1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 18 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 20A. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C(in): 650pF. Capacité de sortie C(out): 250pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 2us. Dissipation de puissance maximale: 30W. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 4V.