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Transistor PNP, TO92, -300V, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - MPSA92. Transistor PNP, TO92, -300V, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Boîtier: TO92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W. Tension base / collecteur VCBO: -300V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Bande passante MHz: 70MHz. Gain hFE min.: 25. Série: MPSA. Courant maximum 1: silicium. Tension IGBT VRSM maxi: 50 MHz. Information: Transistor haute tension. MSL: 25. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA42. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 22/07/2025, 13:25.

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Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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