Phototransistors et photo-diodes (réception)

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±55°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Diamètre extérieur [mm]: 4.3mm. Longueur extérieure [mm]: 5.5mm. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +80°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 4.65x4.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 925nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±65°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 100 ns. Longueur extérieure [mm]: 4.65mm. Largeur extérieure [mm]: 4.3mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Boîtier (norme JEDEC): 5.08mm

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 940nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2.5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. Longueur d'onde (dominante): 850nm. Remarque: 850nm 15°. Remarque: LED 5mm. Remarque: phototransistor infrarouge. Remarque: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW. RoHS: oui. Couleur: infrarouge

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Longueur d'onde dominante [nm]: 930nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±15°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Boîtier (norme JEDEC): 930nm 15°

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 1.8mm (T-3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 825nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 4.8us. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Diamètre extérieur [mm]: 1.8mm. Longueur extérieure [mm]: 3.3mm. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Épaisseur extérieure [mm]: 3.4mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Boîtier (norme JEDEC): 50mA

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-5. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 565nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 10V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±50°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3.1us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3.0us. Diamètre extérieur [mm]: 8.13mm. Longueur extérieure [mm]: 9.1mm. Largeur extérieure [mm]: 9.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 3.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 4.65x4.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±65°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 100 ns. Longueur extérieure [mm]: 4.65mm. Largeur extérieure [mm]: 4.3mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Boîtier (norme JEDEC): oui

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 4.65x4.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±65°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 100 ns. Longueur extérieure [mm]: 4.65mm. Largeur extérieure [mm]: 4.3mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 950nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 60V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±65°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 100 ns. Longueur extérieure [mm]: 5mm. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Épaisseur extérieure [mm]: 6.8mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Boîtier (norme JEDEC): 215mW

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±10°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Diamètre extérieur [mm]: 4.69mm. Longueur extérieure [mm]: 6.15mm. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.5mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.3us. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. Angle de diffusion: 20°. Longueur d'onde (dominante): 850nm. Remarque: infrarouge 850nm, 200, 180MHz. Remarque: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. Remarque: côté récepteur. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. VECO: 5V

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 2.4x2.4mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±18°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Longueur extérieure [mm]: 2.4mm. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +80°C. Boîtier (norme JEDEC): photo-transistor

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Longueur d'onde dominante [nm]: 830nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±8°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Diamètre extérieur [mm]: 4.8mm. Longueur extérieure [mm]: 5.4mm. Largeur extérieure [mm]: 5.6mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.6mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

ROHS: Oui. Boîtier: SMD 0805. Montage/installation: SMD. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Type de lentille: transparent. Type de cellule photoélectrique: phototransistor. Angle de diffusion: 120°. Sensibilité centrale: 940nm

Récepteur IR. Angle de diffusion: 30°. Matériau: bleu transparent. Type de canal: N. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Courant de collecteur: 3mA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. RoHS: oui. Spec info: lentille transparente bleue. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Couleur: infrarouge. Tf (type): 15us. Boîtier: LED 5mm. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Tr: 15 ns. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. VECO: 5V

Récepteur IR. Angle de diffusion: 30°. Matériau: transparent. Type de canal: N. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Courant de collecteur: 3mA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. RoHS: oui. Spec info: lentille transparente. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Couleur: infrarouge. Tf (type): 15us. Boîtier: LED 5mm. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Tr: 15us. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. VECO: 5V

Récepteur IR. Angle de diffusion: 30°. Matériau: transparent. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Courant de collecteur: 35mA. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Couleur: infrarouge. Tf (type): 15us. Boîtier: LED 3mm. Tr: 15us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. VECO: 5V

Récepteur IR. Angle de diffusion: 24°. Fonction: Phototransistor. Longueur d'onde (dominante): 900nm. Courant de collecteur: 15mA. Nombre de connexions: 2. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V

Récepteur IR. Angle de diffusion: 120°. Longueur d'onde (dominante): 950nm. Remarque: diode infrarouge. Capacité: 72pF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Spec info: Temps de commutation court. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20 ns. Boîtier: TO-92. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. VRRM: 32V

Récepteur IR. Diamètre: 5mm. Angle de diffusion: 20°. Matériau: transparent. Propriétés: cylindrique convexe. Fonction: Silicon PIN Photodiode. Longueur d'onde (dominante): 850nm. Capacité: 11pF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 150mW°. RoHS: oui. Spec info: Temps de commutation court. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: LED 5mm. Tr: 0.005us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. VRRM: 20V

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: rectangulaire, 5.08x4.44mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 20V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 9mm. Largeur extérieure [mm]: 5.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 20V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 9mm. Largeur extérieure [mm]: 5.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C