Power MOSFET Canal N Fuji Electric 2SK3530-01MR, 800V, 7A, 1.46 Ohm, Boîtier TO-220F

Description technique du produit (2SK3530-01MR):

Tension Drain-Source Vds(max): 800V. Courant de fuite Drain-Source Idss(max): 250uA. Courant de Drain continu Id (T=25°C): 7A. Courant de Drain continu Id (T=100°C): 7A. Résistance à l\'état passant Rds(On): 1.46 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Boîtier: TO-220FP. Conforme RoHS: Oui. Nombre de connexions: 3. Type de montage: Montage traversant. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Technologie: Série Super FAP-G POWER MOSFET. Protection Gate-Source: Non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 40 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss(min): 25uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 21 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 28A. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacité d\'entrée C(in): 740pF. Capacité de sortie C(out): 105pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 2.3 ns. Dissipation de puissance maximale: 70W. Protection Drain-Source: Oui. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 5V.