STMicroelectronics STB12NM50N MOSFET de Puissance MDmesh Canal N, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Description technique du produit (STB12NM50N):

Tension Drain-Source Vds(max): 550V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 100uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 11A. Courant de Drain Id (T=100°C): 6.8A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK (TO-263). RoHS: oui. Nombre de connexions: 2. Montage/Installation: Composant monté en surface (CMS). Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: dv/dt élevé, faible capacité de grille. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 60 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 15 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 44A. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C (in): 940pF. Capacité de sortie C (out): 100pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 340 ns. Dissipation de puissance maximale: 100W. Protection Drain-Source: oui. Tension Gate-Source Vgs: 25V. Température: +150°C