Stmicroelectronics STP11NM60 MOSFET de Puissance MDmesh Canal N, 600V Drain-Source, 11A Courant de D

Description technique du produit (STP11NM60):

Tension Drain-Source max. Vds(max): 600V. Courant de fuite Drain-Source max. Idss (max): 10uA. Courant de drain continu ID (T=25°C): 11A. Courant de drain continu ID (T=100°C): 7A. Résistance à l\'état passant Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Conforme RoHS: Oui. Caractéristiques spéciales: Capacités dv/dt et d\'avalanche élevées. Nombre de broches: 3. Type de montage: Montage traversant sur PCB. Type de canal: Canal N. Type de transistor: MOSFET. Caractéristiques clés: Faible capacité d\'entrée, faible résistance à l\'état passant, faible charge de grille. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement max.: +150°C. Protection Gate-Source: Non. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 6 ns. Courant de fuite min. Drain-Source IDss (min): 1uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 20 ns. Courant de drain pulsé Id(imp): 44A. Tension de seuil min. Gate-Source Vgs(th): 3V. Capacité d\'entrée C(in): 1000pF. Capacité de sortie C(oss): 230pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 390 ns. Dissipation de puissance max. Pd: 160W. Protection Drain-Source: Diode Zener. Tension Gate-Source max. Vgs: 30V. Conditionnement: Tube plastique, 50 unités par tube.